三星电子在高带宽内存市场取得了重大突破，其下一代 HBM4 内存在英伟达即将推出的 Vera Rubin AI 加速器的速度和能效测试中优于竞争对手。 每日经济新闻。在上周的访问中，英伟达代表证实三星取得了“内存行业最好的成果”，这促使其供应量的要求远远超出了三星的内部预测。这一成功标志着与 HBM3E 一代的巨大逆转，三星落后竞争对手近一年。这一转变归因于一项高风险的技术策略，即三星完全跳过了 D1b DRAM 工艺，直接推进到 10 纳米 D1c 工艺。通过将这种新型 DRAM 与采用 4 纳米铸造工艺生产的逻辑芯片相结合，三星成为第一家实现数据传输速度超过每秒 11 GB 的制造商。虽然 SK 海力士保持了大约三个月的领先优势（已经开始提供付费样品），但三星已经成功缩小了与上一代产品的差距。市场数据反映了这种复苏，三星在 2025 年第三季度以 22% 的份额超越美光，夺回 HBM 市场第二位。合同预计将于 2026 年第一季度正式签订，并计划于第二季度全面交付，以满足 Nvidia 的时间表 维拉·鲁宾 平台将于 2026 年第三季度推出。
